國基南方率先實現(xiàn)碳化硅產(chǎn)品批量應(yīng)用，贏得電力電子器件發(fā)展先機

近年來，國基南方積極融入數(shù)字經(jīng)濟(jì)建設(shè)，發(fā)揮第三代半導(dǎo)體技術(shù)優(yōu)勢，瞄準(zhǔn)重點數(shù)字產(chǎn)業(yè)，增強產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)競爭力，氮化鎵技術(shù)產(chǎn)品保障新型裝備、5Ｇ通信需求，2022年再次率先在碳化硅領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，SiC MOSFET首次獲得新能源汽車龍頭企業(yè)大批量訂單，為保障國產(chǎn)新能源汽車用功率器件供應(yīng)鏈安全發(fā)揮了重要作用。在激烈的市場競爭中，贏得碳化硅領(lǐng)域發(fā)展先機。

國基南方在國內(nèi)率先建立起第三代半導(dǎo)體碳化硅自主體系，形成了覆蓋碳化硅材料、設(shè)計、制造、封測的完整技術(shù)布局，已經(jīng)成為功率電子器件領(lǐng)域知名企業(yè)。碳化硅MOSFET在新能源汽車、新能源發(fā)電、服務(wù)器電源、電網(wǎng)輸變電等領(lǐng)域規(guī)模應(yīng)用，數(shù)千萬只配套量有力保障了產(chǎn)業(yè)自主可控。形成了一流創(chuàng)新平臺，寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點實驗室高水平運行，作為依托單位建設(shè)的國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）正快速推進(jìn)實體化運行，2021年SiC MOSFET產(chǎn)品入選國資委十大國有企業(yè)數(shù)字技術(shù)成果。打造了一流人才團(tuán)隊，多次榮獲國防科技進(jìn)步獎等重大獎項。國基南方將面向廣闊市場前景繼續(xù)加快碳化硅領(lǐng)域進(jìn)步。

率先進(jìn)軍布局

不斷實現(xiàn)碳化硅技術(shù)創(chuàng)新突破

國基南方始終緊盯國際技術(shù)前沿，瞄準(zhǔn)碳化硅器件的高擊穿電壓、高功率密度、高效率、高工作溫度等特殊優(yōu)勢和應(yīng)用前景，以打造碳化硅原創(chuàng)技術(shù)“策源地”為目標(biāo)，在國內(nèi)率先開展研究工作。堅持對標(biāo)世界一流技術(shù)水平，緊密對接國家及上級戰(zhàn)略規(guī)劃，近年來得到了國家科技部、工信部以及中國電科等大力支持，“新能源汽車用SiC MOSFET 芯片和模塊關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)化項目”入圍2022年江蘇省工業(yè)和信息產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級專項支持，研究成果獲得多項省部級獎項，保持了該領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)先地位。

率先實現(xiàn)批量應(yīng)用

在滿足裝備建設(shè)及國民經(jīng)濟(jì)急需中發(fā)揮積極作用

碳化硅器件是新型國防裝備、新能源汽車、高速列車、能源互聯(lián)網(wǎng)等急需的關(guān)鍵器件。為了實現(xiàn)器件盡快量產(chǎn)，2018年國基南方在國內(nèi)率先建立6英寸碳化硅器件工藝平臺，同時發(fā)揮牽引作用，帶動了國內(nèi)碳化硅行業(yè)上下游產(chǎn)業(yè)鏈的進(jìn)步。

基于自主可控的工藝平臺，近年來，國基南方陸續(xù)發(fā)布650V-1700V SiC SBD產(chǎn)品，在國內(nèi)首次實現(xiàn)工程化應(yīng)用，在充電樁、服務(wù)器電源等領(lǐng)域獲得大批量使用。2020年國內(nèi)率先實現(xiàn)6英寸650V-1700V SiC MOSFET量產(chǎn)，同年國內(nèi)首次實現(xiàn)國產(chǎn)1200V SiC MOSFET批量上車應(yīng)用，6.5kV-20kV高壓SiC MOSFET和 SiC IGBT研制水平國際先進(jìn)。2022年650V-1200V SiC MOSFET量產(chǎn)，新產(chǎn)品優(yōu)異的性能得到了用戶的肯定，滿足60萬輛車載應(yīng)用需求。碳化硅系列產(chǎn)品在新能源汽車、新能源發(fā)電、服務(wù)器電源、電網(wǎng)輸變電等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模應(yīng)用，已發(fā)展成為國基南方新的業(yè)務(wù)增長極。

在服務(wù)國民經(jīng)濟(jì)的同時，國基南方始終牢記強軍興軍責(zé)任，聚焦雷達(dá)電源、船舶動力、機載電源、特種車輛控制器、輻射探測等領(lǐng)域，與重點軍工單位深化合作，SiC MOSFET和SBD完成驗證，有力保障重點裝備配套需求。

率先建成一流創(chuàng)新平臺

集聚創(chuàng)新資源發(fā)揮牽引作用

為了更好集聚創(chuàng)新資源，作為依托單位，2015年寬禁帶半導(dǎo)體電力電子器件國家重點實驗室獲批成立，這是國內(nèi)該領(lǐng)域唯一的國家級重點實驗室。作為建設(shè)主體，2021年國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）掛牌成立，為該領(lǐng)域更好推動該領(lǐng)域技術(shù)發(fā)展提供了有力支撐。

國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）正加快建設(shè)。目前，廠房改造、工藝設(shè)備等各項工作均按期推進(jìn)，將進(jìn)一步提升創(chuàng)新中心的核心競爭力，目標(biāo)建成一流的研發(fā)中試平臺和科技服務(wù)共享平臺，實現(xiàn)綜合性創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)技術(shù)輸出。

率先打造一流人才團(tuán)隊

建成國內(nèi)行業(yè)人才中心

科技競爭的本質(zhì)是人才競爭。國基南方碳化硅技術(shù)產(chǎn)品快速發(fā)展過程中，打造了一支由中國電科首席專家掛帥，高學(xué)歷、年輕化，能打敢拼、富有創(chuàng)新精神的人才團(tuán)隊。團(tuán)隊骨干獲得江蘇省“333”高層次人才計劃、集團(tuán)公司杰出青年等榮譽。

近年來，隨著低碳經(jīng)濟(jì)、高效能源發(fā)展，國家出臺新基建、雙碳等宏觀戰(zhàn)略，積極推進(jìn)綠色經(jīng)濟(jì)發(fā)展，新能源發(fā)電、電動汽車，軌道交通，智能電網(wǎng)等新興市場蓬勃發(fā)展，碳化硅器件有很大的市場前景。國基南方將把握市場機遇，堅持創(chuàng)新驅(qū)動、規(guī)模發(fā)展、產(chǎn)融結(jié)合的道路，進(jìn)一步提升碳化硅器件核心制造能力，構(gòu)建碳化硅領(lǐng)域自主可控產(chǎn)業(yè)生態(tài)。