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長(zhǎng)晶科技創(chuàng)業(yè)板上市申請(qǐng)獲受理：國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè) 去年實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)2.44億元

2022/10/13 19:13:32      挖貝網(wǎng) 陳龍坤

挖貝網(wǎng) 10月13日消息，江蘇長(zhǎng)晶科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“長(zhǎng)晶科技”）創(chuàng)業(yè)板上市申請(qǐng)已獲受理。公司是國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)，擁有29項(xiàng)發(fā)明專利，去年歸母凈利潤(rùn)超過(guò)2億元。

近三年財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)顯示，2019年、2020年和2021年分別實(shí)現(xiàn)營(yíng)收10.72億元、13.39億元、19.02億元，歸母凈利潤(rùn)分別為1.04億元、6643.24萬(wàn)元、2.44億元。

招股書(shū)披露，長(zhǎng)晶科技申請(qǐng)?jiān)谏罱凰鶆?chuàng)業(yè)板上市，擬公開(kāi)發(fā)行人民幣普通股不超過(guò)7000萬(wàn)股（不含采用超額配售選擇權(quán)發(fā)行的股票數(shù)量），計(jì)劃融資約16.26億元，用于投入年產(chǎn)80億顆新型元器件項(xiàng)目、年產(chǎn)60萬(wàn)片6英寸功率半導(dǎo)體芯片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目、高可靠性功率器件及電源管理IC項(xiàng)目、第三代半導(dǎo)體及IGBT技術(shù)研發(fā)項(xiàng)目及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)

挖貝研究院資料顯示，長(zhǎng)晶科技主要研發(fā)、生產(chǎn)和銷售半導(dǎo)體產(chǎn)品。公司產(chǎn)品按是否封裝可分為成品（分立器件、電源管理IC）和晶圓，現(xiàn)已被廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子與工業(yè)電子領(lǐng)域。

長(zhǎng)晶科技聲稱，公司現(xiàn)已發(fā)展成為一家Fabless與IDM模式并行的綜合型半導(dǎo)體企業(yè)，并且自2019年起，連續(xù)三年被中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)評(píng)定為中國(guó)功率器件十強(qiáng)企業(yè)。今年8月份，又被工信部認(rèn)定為國(guó)家級(jí)專精特新“小巨人”企業(yè)。

近年來(lái)，公司積極布局IGBT、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品領(lǐng)域，在實(shí)力方面有了顯著提升，目前已具備650V、1200V等IGBT產(chǎn)品及部分第三代半導(dǎo)體（SiC肖特基二極管）的供應(yīng)能力。

擁有發(fā)明專利29項(xiàng)

據(jù)介紹，自成立以來(lái)，長(zhǎng)晶科技始終堅(jiān)持以“研發(fā)引領(lǐng)”和“供應(yīng)鏈協(xié)同”雙輪驅(qū)動(dòng)為發(fā)展戰(zhàn)略。經(jīng)過(guò)多年的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新，公司自主研發(fā)的CSP MOSFET產(chǎn)品經(jīng)江蘇省工信廳鑒定，已被評(píng)定為總體處于國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平。數(shù)據(jù)顯示，去年研發(fā)投入費(fèi)用高達(dá)1.07億元，占當(dāng)期營(yíng)收的5.64%。

與此同時(shí)，在項(xiàng)目方面也取得了新的進(jìn)展。由公司主導(dǎo)的“低功耗高可靠超結(jié)MOS器件關(guān)鍵技術(shù)研究”和“超低內(nèi)阻晶圓級(jí)封裝功率MOS器件”項(xiàng)目分別成功入選江蘇省重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、南京市江北新區(qū)重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃。

值得一提的是，截至今年3月底，公司已擁有授權(quán)專利134項(xiàng)（包含發(fā)明專利29項(xiàng)），另獲集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)37項(xiàng)。